從單晶爐里生產的單晶棒開始，硅片的工藝流程就基本啟動了。為了幫助大家認識和了解硅料到硅片的詳細生產流程，提高對這個行業(yè)的認知，以便能更好的從事光伏行業(yè)，現在將一些生產流程資料整理如下，希望能對大家有所幫助。
簡介
硅片的準備過程從硅單晶棒開始，到清潔的拋光片結束，以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間，從一單晶硅棒到加工成數片能滿足特殊要求的硅片要經過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外，整個過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進行。硅片的加工從一相對較臟的環(huán)境開始，在10級凈空房內完成。
工藝過程綜述
所有的工藝步驟概括為三個主要種類：能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能;能減少不期望的表面損傷的數量;或能消除表面沾污和顆粒。工藝步驟的順序是很重要的，因為這些步驟的決定能使硅片受到盡可能少的損傷并且可以減少硅片的沾污。
硅片加工過程步驟
1.切片
2.激光標識
3.倒角
4.磨片
5.腐蝕
6.背損傷
7.邊緣鏡面拋光
8.預熱清洗
9..抵抗穩(wěn)定——退火 10.背封
11.粘片
12.拋光
13.檢查前清洗
14.外觀檢查
15.金屬清洗
16.擦片
17.激光檢查
18.包裝/貨運
切片(class 500k)
硅片加工的介紹中，從單晶硅棒開始的一個步驟就是切片。這一步驟的關鍵是如何在將單晶硅棒加工成硅片時盡可能地降低損耗，也就是要求將單晶棒盡可能多地加工成有用的硅片。為了盡量得到好的硅片，硅片要求有小量的翹曲和少量的刀縫損耗。
切片過程中有兩種主要方式——內圓切割和線切割。這兩種形式的切割方式被應用的原因是它們能將材料損失減少到小，對硅片的損傷也小，并且允許硅片的翹曲也是小。
切片是一個相對較臟的過程，可以描述為一個研磨的過程，這一過程會產生大量的顆粒和大量的很淺表面損傷。
硅片切割完成后，所粘的碳板和用來粘碳板的粘結劑必須從硅片上清除。在這清除和清洗過程中，很重要的一點就是保持硅片的順序，因為這時它們還沒有被標識區(qū)分。
